Учени от Московския физико-технически институт в Долгопрудний и техни колеги от САЩ са създали уникални кондензатори от хафниев оксид (HfO2), които могат да се използват като клетки на свръхбърза и почти "вечна" флаш памет, съобщава БТА. Те са изградени от свъхтънък кристален слой ( под 10 нанометра) от т. нар. сегнетоелектрици, към който са добавени електроди от волфрам и титанов нитрид.
Физиците отдавна знаят, че хафниевият оксид и някои други вещества, като солите на винената киселина, бария и титана, притежават необичайни свойства - електроните са разпределени неравномерно, но положението им може да бъде направлявано с помощта на електрично поле. Това позволява да се използват сегнетоелектрици - кристали на тези вещества, за създаване на нов тип енергонезависима памет, в която данните се съхраняват под формата на групички електрони.
"Хрумването да се използват тези материали не е ново, но всички открити по-рано вещества с подобни свойства поради различни причини не трябва да се използват в наноелектрониката. Създаденият от нас кондензатор може да осигури до 10 милиарда цикъла на презаписване, т.е. броят им е 100 хиляди пъти по-голям в сравнение със съвременните компютърни флашки", обясни пред ТАСС Андрей Зенкевич, ръководител на лаборатория в Московския физико-технически институт.
До неотдавна учените не бяха наясно как се извършва процесът на "презаписване" на положението на електроните в подобни материали. Преди година физици от института и САЩ решиха тази задача, изяснявайки как се променят сегнетоелектриците при попадането им в електрично поле.
Благодарение на тези данни Зенкевич и колегите му направиха следващата крачка - създадоха първите пълноценни кондензатори на базата на хафниев оксид, които е възможно да бъдат произвеждани от съвременната наноелектроника.
Резултатите от изследването са публикувани в Nanoscale.
